Алтухов И.В., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Родионов Н.Б, Большаков А.П., Ральченко В.Г., Хмельницкий Р.А. Транспорт дырок в монокристаллическом алмазе, легированном бором, в сильных электрических полях. статья в сборнике трудов конференции Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение , 2018 .
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5130 |
 |
Изменить объект |
