Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Левашов С.А., Чучева Г.В. МДМ структуры на основе сегнетоэлектрических пленок. In: 28-я международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо 2018), 9-15 сентября 2018г., г. Севастополь, Россия , Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Севастопольский государственный университет" (Севастополь)
![[img]](http://cplire.ru:8080/style/images/fileicons/text.png) |
Текст
5a_10_154 (Тезисы).doc Загрузить (415kB) |
Аннотация
В работе методом высокочастотного распыления реализована гетероэпитаксиальная МДМ структура состоящая из кремниевой подложки с подслоем платины, сегнетоэлектрической пленки состава Ba0,8Sr0,2TiO3 и электродов из никеля. Измерена зависимость диэлектрической проницаемости от приложенного напряжения. Установлено, что при приложении управляющего напряжения (0+12 В) значение диэлектрической проницаемости МДМ структуры на основе сегнетоэлектрической пленки состава Ba0,8Sr0,2TiO3 изменяется от 1270 до 650 соответственно.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5112 |
 |
Изменить объект |
