Пикосекундное интенсивное стимулированное излучение GaAs

Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Пикосекундное интенсивное стимулированное излучение GaAs. In: XI Российская конференция по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013, Санкт-Петербург , Отдел научно-технической информации ФТИ им. А.Ф. Иоффе , р. 1.

[img] Текст
Krivonosov.doc

Загрузить (56kB)

Аннотация

В подтверждение представления, созданного ранее на основании косвенных признаков, обнаружено, что в GaAs стимулированное излучение возникало, и его интенсивность возрастала с пикосекундной задержкой относительно фронта мощной пикосекундной оптической накачки, создававшей плотную электронно-дырочную плазму. При спаде накачки интенсивность излучения релаксировала с характерным временем ~ 10 пс. Получены зависимости времени задержки, времени релаксации, длительности пикосекундного импульса излучения от энергии его фотона. Оценки, основанные на том, что релаксация излучения определяется остыванием электронно-дырочной плазмы, соответствуют измеренному времени релаксации.

Тип объекта: Доклад на конференции или семинаре (Постер)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 201 лаб. математических методов радиофизики
257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/497
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект