Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Пикосекундное интенсивное стимулированное излучение GaAs. In: XI Российская конференция по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013, Санкт-Петербург , Отдел научно-технической информации ФТИ им. А.Ф. Иоффе , р. 1.
![[img]](http://cplire.ru:8080/style/images/fileicons/text.png) |
Текст
Krivonosov.doc Загрузить (56kB) |
Аннотация
В подтверждение представления, созданного ранее на основании косвенных признаков, обнаружено, что в GaAs стимулированное излучение возникало, и его интенсивность возрастала с пикосекундной задержкой относительно фронта мощной пикосекундной оптической накачки, создававшей плотную электронно-дырочную плазму. При спаде накачки интенсивность излучения релаксировала с характерным временем ~ 10 пс. Получены зависимости времени задержки, времени релаксации, длительности пикосекундного импульса излучения от энергии его фотона. Оценки, основанные на том, что релаксация излучения определяется остыванием электронно-дырочной плазмы, соответствуют измеренному времени релаксации.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/497 |
 |
Изменить объект |
