Агеева Н.Н, Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Пикосекундные “разгорание” и релаксация интенсивного стимулированного излучения GaAs. Журнал экспериментальной и теоретической физики , 2013 , 143 (4). С. 634-641. ISSN 0044-4510
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
В подтверждение представления, созданного ранее на основании косвенных признаков, обнаружено, что в GaAs возникает стимулированное излучение, а его интенсивность возрастает с пикосекундной задержкой относительно фронта мощной пикосекундной оптической накачки, создававшей плотную электронно-дырочную плазму. При уменьшении накачки интенсивность излучения релаксирует с характерным временем порядка 10 пс. Получены зависимости времени задержки, времени релаксации, длительности пикосекундного импульса излучения от энергии его фотона. Оценки, основанные на том, что релаксация излучения определяется остыванием электронно-дырочной плазмы, соответствуют измеренному времени релаксации.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/480 |
 |
Изменить объект |
