Стимуляция когерентности волны зарядовой плотности в квазиодномерных полупроводниках СВЧ излучением

Зыбцев С.Г., Покровский В.Я. Стимуляция когерентности волны зарядовой плотности в квазиодномерных полупроводниках СВЧ излучением. In: XI Российская конференция по физике полупроводников, 16–20 сентября 2013, Санкт-Петербург , Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН , р. 279.

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Тип объекта: Доклад на конференции или семинаре (Постер)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 183 лаб. фотоэлектронных явлений
184 лаб. методов получения тонких пленок и пленочных структур
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/475
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект