Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором.

Папроцкий С.К., Каган М.С., Алтухов И.В. Нерезонансное туннелирование в сверхрешётках InAs/AlSb с оптическим резонатором. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 38-40. ISSN 2070-0970

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Исследован вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb. В режиме нерезонансного туннелирования, на вольт-амперной характеристике обнаружено возникновение серии эквидистантных максимумов, которые связываются с влиянием резонатора на интенсивность оптических переходов (эффект Пёрселла).

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4659

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект