Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С., Папроцкий С.К., Хвальковский Н.А., Буравлев А.Д., Васильев А.П., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Устинов В.М. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ , 2016 , 103 (2). С. 128-131.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Исследовалась минизонная проводимость в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs с ТГцрезонатором. На вольт-амперных характеристиках при некотором пороговом напряжении наблюдалось скачкообразное уменьшение тока, вызванное образованием электрических доменов. Обнаружено, что при изменении параметров резонатора это пороговое напряжение существенно меняется. Предложено объяснение, связывающее сдвиг порога с возбуждением в резонаторе колебаний значительной амплитуды.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4657 |
 |
Изменить объект |
