Переключение спектральных мод пикосекундного стимулированного излучения GaAs вследствие их вынужденного комбинационного рассеяния при межзонных осцилляциях электронов в поле излучения

Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Переключение спектральных мод пикосекундного стимулированного излучения GaAs вследствие их вынужденного комбинационного рассеяния при межзонных осцилляциях электронов в поле излучения. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2018 , 63 (10). С. 1130-1140. ISSN 0033-8494

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Обнаружено, что автомодуляцию спектра стимулированного интенсивного пикосекундного излучения тонкого (~ 1 мкм) слоя GaAs можно представить, как переключение спектральных мод излучения, вызванное их вынужденным комбинационным рассеянием (ВКР). Показано, что ВКР возникает из-за модуляции заселенности энергетических уровней при межзонных осцилляциях электронов в поле излучения. Установлено, что осцилляции становятся возможными из-за обусловленного энергетическим транспортом носителей заряда замедления времени залечивания отклонений от фермиевского распределения. Выяснено, что синхронизация указанных осцилляций осуществляется посредством ВКР.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4652

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект