Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором.

Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлёв А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2016 (12). ISSN 1684-1719

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Исследован вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb и GaAs/AlAs при комнатной температуре. Обнаружено влияние ТГц резонатора на вольтамперные характеристики в режиме как резонансного, так и нерезонансного туннелирования. Предложены возможные объяснения.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4650

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект