Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда

Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (5). С. 594-599. ISSN 0015-3222

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Экспериментально исследовалась динамика длинноволнового края спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения, возникающего во время пикосекундной накачки GaAs. Обнаружен дефицит перенормировки запрещенной зоны, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, по сравнению с перенормировкой в квазистационарном состоянии. Предполагается, что дефицит обусловлен тем, что в условиях настоящего эксперимента время релаксации перенормировки относится к пикосекундному диапазону.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4640

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект