Субтерагерцовая автомодуляция поглощения пикосекундного зондирующего импульса света в GaAs, взаимосвязанная с собственным пикосекундным стимулированным излучением GaAs

Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Субтерагерцовая автомодуляция поглощения пикосекундного зондирующего импульса света в GaAs, взаимосвязанная с собственным пикосекундным стимулированным излучением GaAs. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2017 (4). С. 1-23. ISSN 1684-1719

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Впервые измерена в реальном времени предполагавшаяся ранее субтерагерцовая автомодуляция поглощения зондирующего пикосекундного импульса света в фотонакачиваемом тонком (~ 1 мкм) слое GaAs. Накачка создавала в GaAs стимулированное пикосекундное излучение. На период, фазовую постоянную и амплитуду автомодуляции поглощения влияет её синхронизация с пикосекундной автомодуляцией обеднения заселенности электронами энергетических уровней дна зоны проводимости. Обеднение и его автомодуляция создаются собственным излучением GaAs. Синхронизация возникает для установления детального равновесия при электрон-LO-фононном взаимодействии.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4639

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект