Rodionov N. B., Pal’ A. F., Bol’shakov A. P., Ral’chenko V. G., Khmel’nitskiy R. A., Dravin V. A., Malykhin S. A., Altukhov I. V., Kagan M. S., Paprotskiy S. K. Diamond Diode Structures Based on Homoepitaxial Films. Journal of Communications Technology and Electronics , 2018 , 63 (7). С. 828-834. ISSN 1064-2269
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
(m–i–p)-Structures with high-resistance epitaxial i-layers are fabricated on heavily doped p+-type substrates with platinum contacts. The structures are studied using several methods: optical and electron microscopy and luminescence, and electrophysical (C–V and I–V characteristics) methods and tested as detectors of ionizing radiation. It is shown that the (m–i–p)-structures are promising for development of several electronic devices (high-voltage diodes, detectors of ionizing radiation, and photovoltaic devices).
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Н.Б. Родионов, А.Ф. Паль, А.П. Большаков, В.Г. Ральченко, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин, С.А. Малыхин, И.В. Алтухов, М.С. Каган, С.К. Папроцкий |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4619 |
 |
Изменить объект |
