Яременко Наталья Георгиевна ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ И НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3B5 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ. Кандидатская диссертация, Институт радиотехники и электроники, 2013.
 | Существует более поздняя версия этого объекта в наличии. |
Аннотация
Целью работы является изучение электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе различных композиций полупроводников A3B5 и исследование физических эффектов, влияющих на люминесцентные свойства этих структур: коллективного взаимодействия двумерных носителей тока, резонансного захвата неравновесных носителей в квантовую яму, разупорядочения границ раздела, примесных и композиционных неоднородностей. Показано влияние амфотерного поведения кремния на природу нестехиометрических дефектов в Si-легированном эпитаксиальном GaAs. Изучены особенности зонной структуры в квантовых ямах разной конфигурации: модулированно-легированных, двойных туннельно-связанных и др. В легированных структурах n-AlGaAs/GaAs впервые экспериментально подтвержден осциллирующий характер зависимости эффективности захвата фотовозбужденных дырок в квантовую яму от ширины ямы. Исследовано влияние флуктуаций потенциала, вызванных случайным распределением примесей, на формирование спектров фотолюминесценции сильно легированного эпитаксиального InGaAsP и их зависимости от температуры и плотности оптического возбуждения. Предложены способы повышения эффективности вывода излучения в торцевых InGaAsP/InP-светодиодах за счет эффектов «многопроходности» в подложке InP. Развита фотолюминесцентная методика оценки слоевой концентрации электронов в модулированно-легированных структурах.
| Тип объекта: | Диссертация (Кандидатская) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 173 лаб. микро- и наноэлектроники 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/459 |
Доступные версии этого объекта
- ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ И ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ И НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3B5 И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ. (deposited 14 Июн 2016 13:40) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
