Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела Si-SiO2 в процессе полевого повреждения структур металл−сверхтонкий окисел−полупроводник

Левашов С.А., Чучева Г.В. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела Si-SiO2 в процессе полевого повреждения структур металл−сверхтонкий окисел−полупроводник. In: 19-я Всероссийская молодежная конференция "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника", 27 ноября – 1 декабря 2017 года, г. Санкт-Петербург, Россия , Изд-во Политехнического университета , р. 16.

Предварительный просмотр

Изображение Левашов-Генерация.jpg Загрузить (249kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Стресс приводит к существенно более низким уровням выхода емкостей образца на плато при больших положительных полевых напряжениях

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Доклад)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4422

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект