Теплоэлектрическая модель InGaN/GaN светодиода с учетом влияния подложки гетероструктуры

Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель InGaN/GaN светодиода с учетом влияния подложки гетероструктуры. Изв. вузов. Электроника , 2017 , 22 (6). С. 589-595.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Теплоэлектрическая модель InGaN/GaN светодиода с учетом влияния подложки гетероструктуры

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Сергеев В.А., Ходаков А.М.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4404

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект