Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний

Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А., РАДАЕВ О.А. Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний. Известия высших учебных заведений. Электроника , 2017 , 22 (3). 220--230.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А., Радаев О.А.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/4401
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект