High-Q piezoelectric resonators with a lateral electric field and their potential applications

Zaitsev B. D., Shikhabudinov A. M., Teplykh A. A., Borodina I. A., Kuznetsova I. E. High-Q piezoelectric resonators with a lateral electric field and their potential applications. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics , 2016 , 80 (10). С. 1218-1223. ISSN 1062-8738

Предварительный просмотр

Текст art_10.3103_S106287381610021X.pdf Загрузить (3MB) | Предварительный просмотр

Аннотация

It is shown for the first time that suppressing parasitic oscillations in a piezoelectric resonator with a lateral electric field by applying a damping coating or by spatially separating the HF electric field source from the resonating plate allows us to achieve record-high Q values for parallel and series resonances. The potential to fabricate an array of acoustically decoupled resonators on a single piezoelectric substrate, and to design microdisplacement sensors with temperature compensation, is also demonstrated for the first time.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Зайцев Б.Д., Шихабудинов А.М., Теплых А.А., Бородина И.А., Кузнецова И.Е.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах СФ-9 лаб. физической акустики
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4172

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект