Трифонов А.С., Дагесян С.А., Шорохов В.В., Преснов Д.Е., Солдатов Е.С., Крупенин В.А., Снигирёв О.В. Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремнии. In: XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 октября 2017 года, Екатеринбург, Россия , р. 411.
Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: http://webhostj3.imp.uran.ru/
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 193 лаб. физических свойств нанокомпозитных материалов для информационных технологий |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4010 |
 |
Изменить объект |
