Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник

Гольдман Е.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (9). С. 1185-1188. ISSN 0015-3222

Предварительный просмотр

Текст Гольдман-Генерация поверхностных электронных состояний.pdf Загрузить (188kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл−окисел−полу-проводник (МОП) на n-Si−МОП подложках с толщиной окисла 39A, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний−окисел избыточного заряда до 8 · 10 12 см −2 . Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник−диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/3842

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект