Кузнецов П.И., Аверин С.В., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа. Физика и техника полупроводников , 2017 , 51 (2). С. 258-262. ISSN 0015-3222
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Методом MOVPE на полуизолирующей подложкe GaAs выращена сверхрешетка ZnSe/ZnTe второго типа, на основе которой изготовлен МПМ детектор. Спектральная характеристика детектора демонстри- рует возможность селективного детектирования трех отдельно расположенных участков спектра видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на одной фотодиодной структуре. МПМ детектор на основе сверхрешетки ZnSe/ZnTe обладает низкими темновыми токами и высокой чувстви- тельностью.
Тип объекта: | Статья |
---|---|
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/3267 |
Изменить объект |