Kiselev D.A., Afanasiev M.S., Levashov S.A., Kiselev A.M., Chucheva G.V. Thickness-dependent Electrical and Piezoelectric Properties of Lead-Free Ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin Films. Journal of Nano- and Electronic Physics , 2016 , 8 (4). 03027-1. ISSN 2077-6772
Это последняя версия данного объекта.
Текст
KiselevDA_BST_Manuscript_DOC_06-04-2016.doc - Опубликованная версия Загрузить (5MB) |
||
|
Текст
Proof_jnep_2016_V8_03027.pdf Загрузить (535kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
The thickness dependent of electrical and piezoelectric properties of lead-free ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 thin films is reported. Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) thin films for various thickness, ranging from 150 nm to 550 nm, were prepared by high-frequency reactive sputtering of a ceramic target in an oxygen atmosphere on p-type Si substrates. Memory windows and effective dielectric constant of the BST film in Au/BST/Si thin film capacitors is found to increase with the increasing thickness of the film. Domain structure, domain switching and hysteresis loops of the BST 80/20 thin film were investigate via the piezoresponse force microscopy. Complete domain switching and strong piezoresponse are found in the ferroelectric BST film. The piezoelectric coefficient ( ) and the remnant piezoelectric response (ΔPR) of BST 80/20 films is found to increase with the thickness of the film.
Тип объекта: | Статья |
---|---|
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Левашов С.А., Киселев А.М., Чучева Г.В. |
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/2998 |
Доступные версии этого объекта
- Thickness-dependent Electrical and Piezoelectric Properties of Lead-Free Ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin Films. (deposited 13 Фев 2017 17:49) [В настоящее время Отображен]
Изменить объект |