Петржик А. М., Овсянников Г. А., Демидов В. В., Шадрин А. В., Борисенко И. В. Электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах. Физика твёрдого тела , 2013 , 55 (4). С. 697-701. ISSN 0367-3294
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Исследованы транспортные и магнитные свойства контактов, созданных в тонких пленках La0.67Sr0.33MnO3, эпитаксиально выращенных на подложках c бикристаллической границей. Использовались наклонные бикристаллические подложки из галлата неодима, в которых плоскости (110)NdGaO3 наклонены на углы 12 и 38o. Измерены и проанализированы температурные зависимости сопротивления, магнитосопротивления и дифференциальной проводимости контактов при различном напряжении. Обнаружено, что магнитосопротивление и сопротивление контакта существенно увеличиваются с ростом угла разориентации, хотя разориентация легких осей намагниченностей существенно не меняется. Отношение спин-зависимого и спин-независимого вкладов в проводимость бикристаллического контакта увеличивается почти на порядок при изменении угла от 12 до 38o. Магнитосопротивление контакта увеличивается с понижением температуры, что, скорее всего, связано с ростом магнитной поляризации электронов. Показано, что при низких (гелиевых) температурах проводимость зависит от напряжения V по закону V1/2, что свидетельствует о преобладании вклада электрон-электронного взаимодействия в сопротивление контакта. При увеличении температуры величина этого вклада уменьшается, возрастает вклад, пропорциональный V3/2, характерный для механизма, предполагающего неупругое рассеяние спинов на антиферромагнитных поверхностных магнонах.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 221 лаб. квантово-механических усилителей и генераторов 233 лаб. физических основ функциональной тонкопленочной оксидной электроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/286 |
 |
Изменить объект |
