Высокоэффективный плазмонный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs с решеточным затвором

Ермолаев Д.М., Маремьянин К.В., Фатеев Д.В., Попов В.В., Малеев Н.А., Земляков В.Е., Гавриленко В.И., Шаповал С.Ю., Сизов Ф.Ф. Высокоэффективный плазмонный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs с решеточным затвором. In: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013, г. Нижний Новгород. Институт физики микроструктур , SPIE , С. 449-450.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Постер)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	СФ-8 лаб. фотоники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/2171

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект