Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов. Часть I. Теплоэлектрическая модель мощного биполярного высокочастотного транзистора с дефектами. Радиотехника и электроника , 2015 , 60 (10). С. 1097-1103.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Теплоэлектрические модели мощных биполярных полупроводниковых приборов. Теплоэлектрическая модель мощного биполярного высокочастотного транзистора с дефектами
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В. А., Ходаков А. М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1819 |
 |
Изменить объект |
