Sergeev V. A.,, Khodakov A. M. Thermoelectric Models of High – Power Bipolar Semiconductor Devices. Part I. Model of a High – Frequency Transistor with Defects. Journal of Communications Technology and Electronics , 2015 , 60 (10). С. 1328-1332.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Thermoelectric Models of High – Power Bipolar Semiconductor Devices. Part I. Model of a High – Frequency Transistor with Defects
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В.А., Ходаков А.М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1630 |
 |
Изменить объект |
