Афанасьев М.С., Георгиева А.И., Левашов С.А., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Диэлектрическая проницаемость МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 200-201.
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
200.pdf Загрузить (233kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Измерена температурная зависимость диэлектрической проницаемости МДМ-структуры на основе сегнетоэлектрической пленки. Установлено, что максимальное значение диэлектрической проницаемости при температуре 45°С в МДМ-структуре с сегнетоэлектрической пленкой Ba0,8Sr0,2TiO3[001] составляет 840—890, а с пленкой Ba0,8Sr0,2TiO3[111] — в два раза больше (1780—1840).
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1281 |
Доступные версии этого объекта
- Диэлектрическая проницаемость МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок. (deposited 04 Июл 2016 20:28) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
