Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии»., 27-31 мая 2013 г., г. Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 233-235.
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
233.pdf Загрузить (296kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Приводятся результаты расчета предельных параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе гидрированного алмаза. Показано, что при длине канала транзистора 0,2 мкм, напряжении смещения затвора -3 В и напряжении смещения стока -20 В данный транзистор может развивать удельную мощность 0,93 Вт/мм с единицы ширины затвора на частоте 15 ГГц. Для достижения выходной мощности 50 Вт необходима суммарная ширина затвора 54 мм.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1279 |
Доступные версии этого объекта
-
Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. (deposited 09 Июн 2016 13:36)
- Предельные параметры транзистора на основе гидрированного алмаза. (deposited 04 Июл 2016 20:28) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
