Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В., Набиев А.Э. Моделирование работы транзистора на основе алмаза с проводящим d-легированным слоем. In: 14 Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», 27-31 мая 2013 г., г.Одесса, Украина , Политехпериодика (Одесса) , С. 230-232.
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
230.pdf Загрузить (271kB) | Предварительный просмотр |
Официальный URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21850163
Аннотация
Рассчитаны параметры алмазных полевых транзисторов с затвором Шоттки, необходимые для работы в усилителях ГГц-диапазона. Установлено, что алмазный транзистор с длиной затвора 0,2 мкм может обеспечить коэффициент усиления 13 дБ на частоте 15 ГГц в цепи с нейтрализацией обратной связи и имеет частоту отсечки 60 ГГц.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1277 |
Доступные версии этого объекта
- Моделирование работы транзистора на основе алмаза с проводящим d-легированным слоем. (deposited 04 Июл 2016 20:28) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
