Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Люченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных пленок арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. XIII Начно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна, 8-10 октября 2014г., Труды конференции, с.318- 322 . In: XIII Научно - техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»., 08-10 октября 2014 г., г. Дубна , С. 318-322.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Методика выращивания эпитаксиальных структур арсенида галлия на подложках антимонида никеля, исследование свойств полученных структур.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | С.А.Айтхожин, А.С.Артемов, П.С.Белоусов, М.А.Бобылев, Е.В.Каевицер, В.Е.Любченко, К.П.Петров, Ю.Ш.Темиров, С.Б.Фарафонов. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона 215 лаб. проблем субмикронной технологии 217 лаб. полупроводниковых кристаллов и пленок |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1249 |
 |
Изменить объект |
