Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылев М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е., Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложках из антимонида никеля. Неорганические материалы, 2015, т.51, №2, с. 121-125. Неорганические материалы , 2015 , 51 (2). С. 121-125.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Эпитаксиальные слое арсенида галлия на подложках из антимонида никеля выращивались методом МПЭ.В статье описывается методика и приводятся некоторые результаты выращивания структур. Приведены фотоэлектронограммы поверхности полученных структур.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | С.А.Айтхожин, А.С.Артемов, П.С.Белоусов, М.А.Бобылев, Е.В.Каевицер, В.Е.Любченко, К.П.Петров, Ю.Ш.Темиров, С.Б.Фарафонов. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона 215 лаб. проблем субмикронной технологии 217 лаб. полупроводниковых кристаллов и пленок |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1216 |
 |
Изменить объект |
