Рудаков К.И., Дмитриев П.Н., Барышев А.М,, Худченко А.В., Кошелец В.П. Сверхпроводниковые приемные структуры диапазона 700-950 ГГц для радиоастрономии. In: X Всероссийский семинар по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 29 февраля - 3 марта, Нижний Новгород
|
Текст
Koshelets_sem.pdf - Опубликованная версия Загрузить (164kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Для существенного расширения частотного диапазона и реализации предельных параметров сверхпроводниковых элементов была разработана технология изготовления туннельных СИС-переходов на основе структуры Nb/Al-AlNx/NbN субмикронного размера (площадь 0,5 мкм2 ) с плотностью тока (Jc > 70 кА/см2 ) и высоким щелевым напряжением (Vg = 3,2 мВ). Разра- ботаны, изготовлены и исследованы смесительные структуры Nb/AlN/NbN с согласующей структурой на основе пленок Al и NbTiN для нового ра- диоастрономического матричного приемника CHAMP+ диапазона 790– 950 ГГц на телескопе APEX (Atacama Pathfinder Experiment). Для определения электрофизических па- раметров структуры было проведено сравнение экспериментально изме- ренных характеристик приемника с результатами численного модели- ровния, выполненного с учетом ча- стотно-зависимых потерь в пленках. Определена удельная емкость СИС- перехода, для используемой техно- логии ее величина составила Суд = 80 фФ/мкм2 . Конечной целью данного исследования является разработка сверхпроводникового приемника в диапа- зоне 0,79–0,95 ТГц с шумовой температурой не выше 200 К.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1090 |
 |
Изменить объект |
