Артанов А.А., Калашников К.В., Филиппенко Л.В., де Ланге Г., Кошелец В.П. Туннельные сверхпроводниковые переходы для криогенной системы мультиплексирования. In: XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 14-18 марта, Нижний Новгород
|
Текст
kostyurina.pdf - Опубликованная версия Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Исследовалась возможность использования туннельных переходов сверхпроводник – изолятор – сверхпроводник (СИС) в си- стеме мультиплексирования для смещения массивов детекторов на краю сверхпроводящего перехода и считывания принима- емого сигнала. Была экспериментально исследована работа СИС-преобразователя частоты при относительно низких рабочих частотах (менее 10 ГГц), исследованы различные режимы работы, потери преобразования в квазичастичном режиме состави- ли 8 дБ, мощность насыщения по выходу составляет -58 дБм, показана возможность повышения одновременно нескольких частот входного сигнала. Также была продемонстрирована возможность использования СИС-перехода в режиме источника тока, управляемого внешним высокочастотным сигналом.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1088 |
 |
Изменить объект |
