О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках

Ростами Х. Р., Лузанов В.А. О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках. Радиотехника и электроника , 2025 , 70 (1). С. 73-81. ISSN 0033-8494

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: https://sciencejournals.ru/journal/radel/

Аннотация

С помощью осцилляционной дифференциальной методики локального приближения исследовано влияние внутренних локальных и внешних полей размагничивания на величину плотности критического тока междвойниковых джозефсоновских слабых связей Jc высокотемпературных сверхпроводниковых образцов YBCO. В режимах охлаждения в нулевом поле и охлаждения в нулевом поле с накоплением потока для образцов с разными Jc и размерами двойников d измерены поля размагничивания образцов Hр1 и Hр2. Определены значения: d; термодинамических первых критических магнитных полей двойников Hтк1; полей размагничивания двойников Hрд; плотности внутридвойниковых эффективных критических токов Jc эф; критических токов пиннинга Jc п и экранирующих мейснеровских критических токов Jc М. Показано, что при полях Hтк1 двойники больших размеров скачкообразно «распадаются» на группу двойников меньших размеров с близкими размагничивающими факторами. Обнаружено, что увеличение Jc М, Jc эф и уменьшение d приводят с одной стороны к снижению Jc из-за увеличения поля размагничивания образца Hр и Hр д, созданного Jc эф и Jc М, с другой стороны - к усилению Jc эф и Jc М за счет уменьшения d.

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 258 лаб. исследования СВЧ свойств ферромагнитных материалов
216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/10721
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект