Бутылкин В.С, Крафтмахер Г.А., Фишер П.С. ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ: ЭКСИТОНЫ ИЛИ СВОБОДНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА? Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» , 2026 (1). С. 26-31.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)
Официальный URL: https://doi.org/10.7868/S3034573126010036.
Аннотация
Проводится сравнительный анализ результатов экспериментальных и теоретических исследований поведения диэлектрической проницаемости фотооблучаемых полупроводников как функции мощности облучения и диапазона частот сканирующего излучения. Рассматриваются механизмы, связанные с экситонами и свободными носителями заряда. Показано, что вклад, связываемый обычно со свободными носителями заряда, является высокочастотным крылом экситонного отклика.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 137 лаб. проблем дифракции |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10705 |
 |
Изменить объект |
