Крафтмахер Г.А, Бутылкин В.С. В.С, Фишер П.С. П.С. ГИГАГЕРЦОВЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ ОТКЛИК и ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ при ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ КИРАЛЬНЫХ МЕТАПОВЕРХНОСТЕЙ и МЕТАСТРУКТУР с CdS, CdSe, GaAs, Si,. Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» , 2026 (2). С. 54-64.
|
Текст
оттиск 06_Kraftmacher.pdf Загрузить (653kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
В условиях свободного пространства в диапазоне 3−12 ГГц исследована трансформация резонансных откликов киральных метаструктур и метаповерхностей с полупроводниковыми включениями при фотовозбуждении. Применены цепочки метаатомов (планарных электропроводящих киральных кольцевых элементов с разрывами, нагруженными CdS, CdSe-включениями). Обнаружено, что при изменении мощности оптического излучения Pl = 0 − 250 мВт (l = 0.97 мкм), направляемого оптоволокном в область определенного разрыва, в спектре коэффициента прохождения гигагерцовых волн происходит плавная селективная трансформация соответствующего резонансного отклика без изменения резонансных откликов других элементов в зависимости от геометрии и вида метаструктуры. Исследованы также цилиндрические образцы на основе киральных многозаходных медных спиралей с полупроводниковыми сердечниками GaAs, Si: метадиполи (мини-резонаторы). Исследуемые структуры могут быть полезны для применений в управляемых фильтрах и антеннах; для экспресс-тестов, востребованных развитием новых технологий и разнообразием полупроводников.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 137 лаб. проблем дифракции |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10704 |
 |
Изменить объект |
