Тарасов М.А., Ломов А.А., Щербачев К.Д., Татаринцев А.А., Стрелков М.В., Жогов Д.С., Козулин Р.К., Чекушкин А.М., Маркина М.А., Голованова А.Д., Трояновский А.М., Васильев А.Л. Особенности сопротивления, критической температуры и микроструктуры криогенных тонких пленок алюминия. Физика твёрдого тела , 2025 , 67 (7). С. 1241-1246. ISSN 0367-3294
|
Текст
11) Особенности сопротивления, критической температуры и микроструктуры криогенных тонких пленок алюминия .pdf Загрузить (780kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Исследованы алюминиевые пленки толщиной 120 nm и многослойные структуры на их основе, полученные методом вакуумного термического напыления. Эти структуры, в отличие от объемных образцов, проде- монстрировали повышенное на порядок удельное электрическое сопротивление до 260� · nm и удвоенную температуру сверхпроводящего перехода 2.3K. Показано, что наблюдаемая закономерность обусловлена как химической активностью алюминия, так и снижением скорости роста кристаллитов. Установлено, что при напылении на охлаждаемую жидким азотом подложку Si(111) за счет снижения скорости роста наблюдается уменьшение размеров зерен-кристаллитов с 50 до 15 nm и снижении величины шероховатости поверхности до rms� 1 nm. Измеренные транспортные свойства исследуемых криогенных алюминиевых структур связаны с уменьшением толщины пленок до длины свободного пробега электронов, появлением дополнительного рассеяния носителей тока на атомах оксида, границах кристаллитов, структурных дефектах, искажениях и шероховатости внешних и внутренних границ. Проведенные исследования пленок методами AFM, SEM, TEM, EDXS, рентгеновской дифракции, показали корреляцию микроструктуры и электрических параметров пленок.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10667 |
 |
Изменить объект |
