Кинев Н.В., Хан Ф.В., Чекушкин А.М., Кошелец В.П. Нагрев смесителя сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник под воздействием внешнего терагерцового излучения. Известия вузов. Радиофизика , 2025 , 68 (9). С. 808-823. ISSN ISSN PRINT: 0002-3515
|
Текст
14) НАГРЕВ СМЕСИТЕЛЯ.pdf Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Представлены результаты исследования тепловых эффектов при воздействии сигналом лампы обратной волны на частоте 1,0÷1,1 ТГц на смесительный элемент на основе туннельного перехода сверхпроводник—изолятор—сверхпроводник (СИС) Nb-AlN-NbN, включённого в микрополосковую линию передачи NbTiN-SiO2-Al. Разработанная приёмная система состоит из щелевой антенны, согла- сованных микрополосковых линий передачи и двух СИС-смесителей с площадью около 1 мкм2. При воздействии сигнала на частоте вблизи 1 ТГц наблюдалось значительное изменение вольт-амперной характеристики СИС-переходов, которое выражалось в понижении щелевого напряжения и свиде- тельствовало о нагреве смесительного элемента, что существенно влияет на характеристики приёмной системы. Предложена аналитическая модель, описывающая изучаемую структуру при воздействии высокочастотного сигнала. Проанализированы механизмы, приводящие к непосредственному нагре- ву туннельного перехода и изменению функции распределения квазичастиц в материале электрода. Установлены эффекты и численно оценена степень их влияния на нагрев перехода и, как следствие, уменьшение щелевого напряжения. Рассчитаны общий бюджет тепловыделения и пространственное распределение температуры в интегральной схеме.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10664 |
 |
Изменить объект |
