Маркина М.А., Тарасов М.А., Юсупов Р.А., Хан Ф.В., Фоминский М.Ю., Козулин Р.К., Чекушкин А.М. Термометры на основе НИС переходов диапазона температур 1.5–9.0 K. Журнал технической физики , 2025 , 95 (9). С. 1800-1807. ISSN 0044-4642
|
Текст
10) Термометры на основе НИС переходов.pdf Загрузить (455kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Представлены результаты исследования структур на основе туннельных переходов нормаль- ный металл−изолятор−сверхпроводник (НИС) Al/AlOx /Nb и Al/AlN/NbN, в которых роль сверхпроводника выполняет ниобий (Nb) или нитрид ниобия (NbN), способных работать в качестве термометров в диапазоне температур 1.5−10K. Для формирования туннельных переходов использована технология SNEAP (Selective Niobium Etching and Anodization Process). Получены зависимости отношения дифференциального сопротив- ления переходов к асимптотическому от температуры тестовых образцов, экспериментальные данные согла- суются с теоретической моделью. Измерены значения флуктуационной чувствительности порядка 1 μK/pHz , близкие к теоретически ожидаемым. Структуры типа нормальный металл−изолятор−сверхпроводник и сверхпроводник−изолятор−нормальный металл−изолятор−сверхпроводник на основе Al и Nb или Al и NbN могут быть использованы в качестве on chip термометров. На основе исследованных структур могут быть разработаны болометры, системы электронного охлаждения, а также термометры на чипах, интегрированные непосредственно в рабочие структуры или размещенные рядом с ними для точного мониторинга тепловых эффектов.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10657 |
 |
Изменить объект |
