Юсупов Р.А., Гунбина А.А., Маркина М.А., Тарасов М.А., Фоминский М.Ю., Чекушкин А.М. Изготовление туннельных сверхпроводниковых структур селективным химическим травлением алюминия. Журнал технической физики , 2025 , 95 (9). С. 1793-1799. ISSN 0044-4642
|
Текст
9) Изготовление туннельных сверхпроводниковых структур селективным химическим травлением алюминия.pdf Загрузить (797kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Предложен и апробирован технологический маршрут изготовления туннельных сверхпроводниковых структур с использованием жидкостного селективного травления алюминия для разрыва электрического контакта по нижнему слою трехслойной туннельной структуры и формирования подвешенного над поверхностью подложки мостика. Продемонстрировано, что по предложенному технологическому марш- руту формирование трехслойной структуры может производиться всеми методами нанесения пленок, включая магнетронное распыление, а не только термическим распылением, как это делалось ранее. Для отработки технологии изготовлены образцы с туннельными переходами Al/AlOx /Nb. Изготовленные структуры измерены при температурах до 2.8K, отношение дифференциального сопротивления в области нулевого напряжения к нормальному сопротивлению достигает 12. Исследованы туннельные структуры сверхпроводник–изолятор–палладий–изолятор–сверхпроводник. Исследована проблема негативного влияния палладия на туннельные барьеры на основе алюминия и предложены методы решения данной проблемы.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10656 |
 |
Изменить объект |
