Тарасов М.А., Ломов А.А., Чекушкин А.М., Татаринцев А.А., Середин Б.М., Маркина М.А., Позднякова Е.Ф., Голованова А.Д., Стрелков М.В., Жогов Д.С., Козулин Р.К., Арутюнов К.Ю. Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 К. Письма в ЖТФ , 2025 , 51 (4). ISSN 0320-0116
|
Текст
1) Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 К.pdf Загрузить (856kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm на подложках Si(111), SiO2/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического испарения в диапазоне температур от 77 до 800K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800K использован штатный нагреватель установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия по сравнению с напылением на горячую подложку позволяет снизить размер формируемых зерен с 280 до 15−20 nm, а величину шероховатости с 5.4 до 1.7 nm. Удельное сопротивление пленок и температура сверхпроводящего перехода Tc возрастают с 27 до 260�·nm и с 1.2 до 2.3K соответственно. Это связано с увеличением числа межзеренных границ в криогенных Al-пленках и может привести к возрастанию их кинетической индуктивности в 20 раз и более.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10648 |
 |
Изменить объект |
