Измерения высокочастотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом

Гольдман Е.И., Левашова А.И., Левашов С.А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Измерения высокочастотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом. СОВРЕМЕННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ , 2014 , 2 (15). С. 130-131. ISSN 2308-8060

Предварительный просмотр

Текст 68490884.pdf Загрузить (241kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

На примере структуры «металл–оксид–полупроводник» с параметрами: полевой электрод Al–n+-Si:P(концентрация доноров Nd+=1020 см–3, площадь затвора 1,6⋅10–3 см2),изолированный от n-Si-подложки(Nd+=2⋅1015см–3) слоем пирогенного 4 нм оксида, показано, что измерения активной и емкостной компоненты на двух высоких частотах позволяют достаточно точно определить емкость полупроводника и сопротивление базы.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/1061

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект