Lomov A. A., Zakharov D. M., Tarasov M. A., Chekushkin A. M., Tatarintsev A. A., Vasiliev A. L. Al Islands on Si(111): Growth Temperature, Morphology, and Strain. Russian Microelectronics , 2024 , 53 (4). С. 339-348. ISSN 1063-7397
|
Текст
21_2024.pdf Загрузить (3MB) | Предварительный просмотр |
Официальный URL: https://doi.org/10.1134/S1063739724600468
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Ломов А.А., Захаров Д.М., Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Татаринцев А.А,, ВАсильев А.Л. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10551 |
 |
Изменить объект |
