Chekushkin A. M., Paramonov M. E., Koshelets V. P. Adjusting the Parameters of the Tunnel Barrier of the SIS Junction by Varying the Composition of the Top Electrode. Physics of the Solid State , 2024 , 66 (7). С. 1009-1013. ISSN 1063-7834
|
Текст
07_2024.pdf Загрузить (238kB) | Предварительный просмотр |
Официальный URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/58967
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Чекушкин А. М., Парамонов М. Е., Кошелец В. П. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10526 |
 |
Изменить объект |
