Investigation of thin films for fabrication of Nb/AlN/NbN tunnel junctions and microstrip lines of NbTiN-SiO2-Al.

Chekushkin Artem M., Filippenko Lyudmila V., Kashin Vadim V., Fominskiy Mikhail Yu., Koshelets Valery P. Investigation of thin films for fabrication of Nb/AlN/NbN tunnel junctions and microstrip lines of NbTiN-SiO2-Al. Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies. , 2021 , 13 (4). С. 419-426. ISSN 22183000

[img]
Предварительный просмотр
Текст
19_2021_En.pdf

Загрузить (2MB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: https://doi.org/10.17725/rensit.2021.13.419
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Чекушкин А.М. Филиппенко Л.В. Кашин В.В. Фоминский М.Ю. Кошелец В.П.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/10455
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект