Влияние подслоя германия на процессы перколяции в ультратонких пленках меди и их оптические коэффициенты

Вдовин В.А., Андреев В.Г., Пятайкин И.И., Пинаев Ю.В. Влияние подслоя германия на процессы перколяции в ультратонких пленках меди и их оптические коэффициенты. Радиотехника и электроника , 2024 , 69 (5). С. 448-454. ISSN 0033-8494

Текст R_E rus_ver, 2024, vol 69, # 5, p. 448–454.pdf - Принятая версия Restricted to Только для зарегистрированных пользователей Загрузить (6MB) | Заказать копию

Аннотация

Исследованы оптические коэффициенты плёнок меди толщиной 1…16 нм, выращенных на подслое германия, напылённого на поверхность подложек из кварцевого стекла толщиной 4 мм. Измерения выполнены в прямоугольном волноводе сечением 23 × 10 мм^2 в диапазоне частот 8.5…12.5 ГГц. В диапазоне толщин 2…16 нм обнаружено плавное изменение оптических коэффициентов плёнок меди, выращенных на германиевом подслое. Установлено, что перколяционная толщина медных плёнок, выращенных на подслое германия, заключена в диапазоне между 1 и 2 нм. Обнаружен сильный размерный эффект в плёнках, выращенных на Ge-подслое, обусловленный рассеянием электронов проводимости преимущественно на межкристаллитных границах. Установлено, что коэффициент отражения электронов от межкристаллитных границ в плёнках с Ge-подслоем более чем в три раза превосходит аналогичный коэффициент в плёнках, выращенных непосредственно на подложке.

Тип объекта:	Статья
Дополнительная информация:	The microwave coefficients of copper films with a thickness of 1...16 nm grown on a 1.8 nm germanium sublayer deposited on the surface of quartz glass substrates with a thickness of 4 mm are studied. The measurements have been carried out in a rectangular waveguide with a cross section of 23×10 mm^2 in the frequency range of 8.5...12.5 GHz. A smooth change in the microwave coefficients of the samples studied is detected in the range of copper film thicknesses of 2...16 nm. It is established that the critical percolation thickness of the copper films grown on germanium sublayer is in the range between 1 and 2 nm. A significant internal size effect is found in the films grown on Ge sublayer due to the scattering of conduction electrons mainly by intercrystalline boundaries. It is determined that the coefficient of reflection of conduction electrons by the intercrystalline boundaries of the copper films with Ge sublayer is more than three times higher than a similar coefficient in Cu films grown directly on the glass substrates.
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Вдовин, Андреев, Пятайкин, Пинаев
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	201 лаб. математических методов радиофизики
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/10424

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект