Тепловая модель гетеробиполярного транзистора с учетом распределения плотности тока вдоль эмиттерных дорожек металлизации

Ходаков А.М., Сергеев В.А. Тепловая модель гетеробиполярного транзистора с учетом распределения плотности тока вдоль эмиттерных дорожек металлизации. Радиоэлектронная техника , 2022 . С. 92-96.

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/10056
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект