����
���������� ����������� �� ����� �����������: |
16 ����� 2015 �. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
�.�.�.: |
�������
�������� ���������� |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
�������� �����������: |
����������� �.�.��������
(���� � ������� .pdf - 14 867 kB) |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
��������
����������� � �������� �������������, ��� ��������� ����������� (�����
����� �����������) |
��� ������������� ���������,
������������ �����-�����
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
������� ������������:
|
���
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
������� ����.������ � ������ ����������� � ������: | �������� ��������� ������ �� 24 ������ 2015 �. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
����������� ���������:
1.����� ��������� ���������
2. ��������� ������� ���������� ������ ������-�������������� ����, ����. 01.04.10 ������� ����������������, ����-����. ���; ����� ���������� �������� ��. �.�.�������� ���; ������� ������� ��������� ���. ������ ������������ ������. ����������: 1. J. Szeszko, V.V. Belykh, A. Rudra, B. Dwir, N.N. Sibeldin, and E. Kapon. Multiexciton dynamics in tailored band-gap quasi-one-dimensional systems. Phys. Rev. B 91, Iss. 24, 245304 (2015).2. �.�. ���������, �.�. �����, �.�. ���������, �.�. �����������, �. �������, �. �������, �. ���� �. ������. �������� ���������������� ������������� � ������������� ����������� �� ��������� � ����������������� ��������������� � ������ ����-�������������� �����������. ������ � ���� 101, ���. 8, 569 (2015). 3. �.�. ������, �.�. �������, �.�. ���������. �������� ���������� ��� ��������������� � ���������� ���������� ����� � ������ ��������� ���� GaAs/AlGaAs. ������ � ���� 101, ���. 3, 200 (2015). 4. J. Tommila, V.V. Belykh, T.V. Hakkarainen, E. Heinonen, N. N. Sibeldin, A. Schramm, and M. Guina. Cavity-enhanced single photon emission from site-controlled In(Ga)As quantum dots fabricated using nanoimprint lithography. Appl. Phys. Lett. 104, Iss. 21, 213104 (2014). 5. J. Szeszko, V.V. Belykh, A. Rudra, N.N. Sibeldin, and E. Kapon. Exciton localization and drift in tailored-potential quantum nanowires. Appl. Phys. Lett. 104, Iss. 26, 261905 (2014). 6. V.V. Belykh, N.N. Sibeldin, V.D. Kulakovskii, M.M. Glazov, M.A. Semina, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp, and A. Forchel. Coherence Expansion and Polariton Condensate Formation in a Semiconductor Microcavity. Phys. Rev. Lett. 110, Iss. 13, 137402 (2013). 7. �.�. �������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ��������. ������������� �������������� ����������-�������� �������� � ���������� ������� � ���������������� Si/SiGe/Si ��� ��������������� ���������. ������ � ���� 98, ���. 12, 926 (2013). 8. V.V. Belykh, D.A. Mylnikov, N.N. Sibeldin. Dynamics of the transition from weak to strong exciton- photon coupling regime in a GaAs microcavity: angle resolved measurements. Phys. Status Solidi C, 9, No 5, 1230 (2012). 9. �.�. ������, �.�. �������, �.�. ���������. ���������� ������� ����������� ��������� ������ � ������������ ������� � ������ ��������� ���� GaAs/AlGaAs. ������ � ���� 95, ���. 9, 544 (2012). 10. Justyna Szeszko, Pascal Gallo, Alok Rudra, K. Fredrik Karlsson, Vasily V. Belykh, Nikolai N. Sibeldin, and Eli Kapon. Exciton confinement and trapping dynamics in graded bandgap quantum nanowires. Appl. Phys. Lett. 100, 211907 (2012). 11. Denis Shepel, Timur Burbaev, Nikolai Sibeldin, and Mikhail Skorikov. Quasi-two-dimensional electron-hole liquid and biexcitons in SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures. Physica Status Solidi �, 8, No. 4, 1186 (2011). 12. V.V. Belykh, V.A. Tsvetkov, M.L. Skorikov, and N.N. Sibeldin. Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells. J. Phys.: Condens. Matter 23, No 21, 215302 (2011). 13. �.�. �������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. �����, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. �������, �.�. ������. ����������-�������� �������� � ���������� �������� � �������������� SiGe-����� �������������� Si/SiGe/Si. ������ � ���� 92, ���.5, 341 (2010).
3.
������� ���������� ���������� 1. M. Ahmetoglu (Afrailov), I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, �Electrical and optical characteristics of the InAs/InAs0.7Sb0.1P0.2 single heterojunction photodiodes for the spectral range 1.6�3.5 mm� // Infrared Phys. Technol. 56 (1), 15-18 (2012) 2. K. Moiseev, M. Mikhailova, V. Lesnikov, V. Podolskii, Yu. Kudriavtsev, O. Koudriavtseva, A. Escobosa, �Hybrid Heterostructure With Nanolayer of Diluted GaIn(Mn)AsSb Compound in a Type II Broken-Gap Heterojunction� // J. Magn. Magn. Mat. 324, 3376-3378 (2012) 3. M. Motyka, F. Janiak, G. Sęk, J. Misiewicz, K.D. Moiseev �Temperature dependence of the energy gap and spin-orbit splitting in a narrow-gap InGaAsSb solid solution� // Appl. Phys Lett. 100, 211906 (2012) 4. N.A. Bert, V.N. Nevedomsky, P.A. Dement`ev, K.D. Moiseev, �TEM-study of free-standing self-assembled InSb quantum dots grown on InAs-rich surface� // Appl. Surf. Sci. 267, 77-80 (2013) 5. P.A. Dement`ev, K.D. Moiseev, �Electronic properties of a single heterojunction in InSb/InAs quantum dot system�// Appl. Surf. Sci. 267, 177-180 (2013) 6. K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky, �Uniform InSb quantum dots buried in narrow-gap InAs(Sb,P) matrix� // Thin Solid Films 543, 74-77 (2013) 7. �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. ������, �.�. ������� ������������ ������������� � ��������� ��������������� II ���� InAsSbP/InAs� // ��� 47 (01), 30-35 (2013) 8. �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������� ������������ ������������ ������������� �������� � ������� InSb/InAs ������� ���������� ��������� �� ������������������ ����������� // ��� 47 (03), 420-425 (2013) 9. �.�. ����������, �.�. ������, �.�. ������� "����������� �������������������� � ���������������� � ���������� ������� InSb � ������� InAs" // ��� 47 (11), 1536-1541 (2013) 10. �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������� "�������������� ���� InAsSbP � ���������� ����������� �������, ���������� � ��������� InAs" // ��� 48 (06), 753-758 (2014) 11. �.�. �������, �.�. ������, �.�. ������� "������������������� ������������ �������������������� � ������������� ���������������� II ���� �� ������ ��������� ������� InSb � ������� n-InAs" // ��� 48 (07), 938-943 (2014) 12. M. Motyka, M. Dyksik, F. Janiak, K.D. Moiseev, J. Misiewicz, "The spin-orbit splitting band in InGaAsSb alloys lattice-matched to InAs" // J. Phys. D-Appl. Phys. 47, 285102 (2014) 13. Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, S. Gallardo-Hernandez, M. Ramirez-Lopez, M. Lopez-Lopez, V. Nevedomsky, K. Moiseev, "Reconstruction of original indium distribution in InGaAs quantum wells from experimental SIMS depth profiles" // Physica B 453, 53-58 (2014) 14. K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement�ev, E. Ivanov, �Nanoheterostructures with InSb quantum dashes inserted in the InAs unipolar matrix� // J. Cryst. Growth 414, 177-180 (2015) 15. T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavstev, S. Gallardo, M. Lopez, "Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese" // Low Temp. Phys. 41, 207-209 (2015).
|
�����
������������ ��������� �.�.������ ����� ������������ ��������� �.�.���������� ����� ������������ ��������� �.�.�������� |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
������� �����������: ��� �������-���������������� ����������� �������, ��������������� ������� ����� �����: 111123, ������, ������ ����� �����������, �.46/2 ����� �����: http://orion-ir.ru �������: (499) 374 4900 E-mail: orion @orion-ir.ru ����������: 1. �������� ���������� ���� � ��������� �������������� �� �������, ������������ ������� ��� �����, ��� ������ ����ר������ � �������� ������������ �������� �.�. ������ ���������� ������. 2014. �. 2. � 3. �. 273-280. 2.��������� ������������- ���� ��-��������� �� ������ InGaAs (�����) �������� �.�., ��������� �.�., ������� �.�., �������� �.�. ������ ���������� ������. 2014. �. 2. � 2. �. 131-162. 3. ��������������� ����������������� ��������� �� ������ �������������� InGaAs/InP ������� �.�., ������� �.�., �������� �.�., ��������� �.�., �������� �.�. ���������� ������. 2012. � 4. �. 86-90. 4. ������������� ������ ��� ������� ���������� ��������� ������������ ��������� �������� �.�., �������� �.�., �������� �.�., ������� �.�. ���������� ������. 2014. � 1. �. 38-46. 5. ��-�������� � ������� ���������� ������/��� � ������ ��������� ��������� ������/��� � ��-��������� ������� �.�., �������� �.�. ������ �� ����������� 2473151 13.09.2011 ������� �.�., �������� �.�., ����������� �.�., ������ �.�., ������� �.�. ���������� ������. 2013. � 6. �. 25-36. 7. ������� p-i-n-���������� �� AlGaN ����������������� ��������� ������� ������� �.�., �������� �.�., ������� �.�., ���� �.�., �������� �.�. ���������� ������. 2013. � 6. �. 54-60. 8. ���������� ��������� ����� ������������ � ����� ��������� ��������� ������ � ��-���������� ������� �.�., �������� �.�., ������� �.�. ������ ���������� ������. 2013. �. 1. � 4. �. 477-487. 9. ������������ ���������� ������� 6×576 ��������� �� ������������ �������� 8-12 ��� ������� �.�., �������� �.�., ������� �.�., �������� �.�. ���������� ������. 2012. � 3. �. 61-65. ������� �.�., �������� �.�., ����������� �.�., ������� �.�. ������ �� ����������� RUS 2435252 28.09.2010 11. ��������� ������ ���������� ��������� � �������������������� ���������� ��������� ������-����� �������� �.�., ������ �.�., ����� �.�., �������� �.�. ���������� ������. 2011. � 2. �. 103-106. 12. ����������� ��������� � ����� ����������� ����������������� ��-��������������� (����� 1) �������� �.�., ����������� �.�., ������� �.�. ���������� ������. 2011. � 2. �. 47-60. 13. ����������� ��������� � ����� ����������� ����������������� ��-��������������� (����� 2)* �������� �.�., ����������� �.�., ������� �.�. ���������� ������. 2011. � 3. �. 82-90. 14.������������� ���������������. ���������
������� �.�.
|
����� ������� ����������� | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
������ �� ����������� � �����������:
- ����� �� ����������� �� ����� ������-������������ ��-�� ��. �.�. ����� ���: - �� �.�-�.�., ����. �.�.��������; - �� �.�-�.�. �.�.��������. - ����� �� ����������� �� ��� ��. �.�.���������� - �� �.�-�.�. �.�.�������. - ����� �� ����������� �� ����� ��-�� ������ ������������� ��� �� �.�-�.�. �.�.�������� - ����� �� ����������� �� ����� ��-�� ������ �������� ��� ��� �� �.�-�.�. �.�.��������
|
�����
�.�.���������� ����� �.�.��������� ����� �.�.�������� ����� �.�.������� ����� �.�.���������� ����� �.�.�������� ����� �.�.�������� |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
���� ���������� ���������� � ������ � ������������ ����������� �� ����� �����������: |
18 ��� 2015 �. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
���������� � ������ ����������� |
������� �������� ���������� ������-�������������� ����� �������������: 01.4.10 ���� ������: � 002.231.01 �����: 125009, ������, ��.�������, �.11, ����.7 (��� ��. �.�.������������ ���) ���: 8 (495) 629 3309; e-mail:
don.@cplire.ru |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
�����������: | ����������� �.�.�������� | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
������� ����.������ � ����������� ������ ������� ������� ������-�������������� ����: |
�������� ��������� ������ ���������� ���������������� ������ |