Дата размещения диссертации на сайте организации:

23 июня 2015 г.

Ф.И.О.:

Папроцкий  Станислав Константинович

Название диссертации:

«Транспортные явления в объемном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения» на соискание ученой степени  кандидата физико-математических наук  (01.04.10)

Диссертация С.К.Папроцкого (файл в формате .pdf - 4 008 kB)

Название организации и научного подразделения, где выполнена диссертация (адрес сайта организации)

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН (Москва)
Сайт:  www.cplire.ru

Лаб. № 172 «Электронных процессов в полупроводниковых материалах»

Научный руководитель:
Каган Мирон Соломонович, доктор физико-математических наук, зав. лабораторией № 172 «Электронных процессов в полупроводниковых материалах» ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Отзыв  научного руководителя

Официальные оппоненты: 

Мурзин Владимир Николаевич,

доктор .физико.-математических наук,

(спец. 01.04.10 «Физика полупроводников»)

профессор ФГБУН Физический ин-т м. П.Н.Лебедева РАН;

главный научный сотрудник лаб.неравновесных и нелинейных явлений.

Публикации:

1.           С.А. Савинов, В.Н. Мурзин, Эффект энергетической фильтрации и возможности генерации терагерцового излучения в резонансно-туннельных структурах с несколькими квантовыми ямами, Письма в ЖЭТФ, т.93(3), с.171-176 (2011).

 2.        О.А. Клименко, Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов, В.С.Сызранов, Нелинейный квантовый режим усиления электромагнитных волн терагерцового диапазона в резонансно-туннельных гетероструктурах, КСФ, № 11, с. 39-48 (2011).

 3.        В.С. Сызранов, А.С. Ермолов, С.П. Лебедев С.П, В.Н. Мурзин, Разработка и исследование волноводных фильтров терагерцового и субтерагерцового диапазона частот, ПТЭ № 6, с. 70–77 (2012).

 4.        Ю.В.Копаев, В.Н.Мурзин, Исследование сверхвысокочастотных свойств туннельно-резонансных гетероструктур с целью создания многофункциональных СВЧ-микросхем и генераторов терагерцового диапазона, Вестник РФФИ, №1(73), 119-125 (2012).

 5.        А.Л. Карузский, А.В. Пересторонин, Н.А. Волчков, Ю.С. Леонов, А.С. Ермолов, С.А. Савинов, Ю.А. Митягин, В.С. Сызранов, А.М. Цховребов, В.И. Егоркин, С.С. Шмелёв, В.Н. Мурзин, Нелинейные свойства двух- и трёхбарьерных резонансно-туннельных структур в суб-ТГц диапазоне, Вестник НИЯУ “МИФИ”, т.1, № 2 с.146–154 (2012).

 6.        В.С. Сызранов, О.А.Клименко, А.С. Ермолов, И.П.Казаков, С.С.Шмелев, В.И.Егоркин, В.Н. Мурзин, Одноямныe резонансно-туннельные диодные гетероструктуры на основе In0,53Ga0,47As/AlAs/InP с соотношением пикового тока к току долины 22:1 при комнатной температуре, КСФ, № 8, с. 48-53 (2013).

 7.        V.V. Kapaev, V.N. Murzin, S.A. Savinov, Continuous narrow-band amplification tuning effect at THz frequencies in double-quantum-well resonant tunneling nanostructures, Optical Engineering, v.52(1), 014002-1-014002-11 (2013).

 8.        В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, С.А. Савинов, В.Н. Мурзин, Высокочастотный отклик и возможности перестраиваемого по частоте терагерцового узкополосного усиления в резонансно-туннельных наноструктурах, ЖЭТФ т.143, вып.3, с.569-589 (2013).

 9.        В.С. Сызранов, О.А. Клименко, А.С. Ермолов, И.П. Казаков, С.С. Шмелев, В.И. Егоркин, В.Н. Мурзин, Одноямные резонансно-туннельные диодные гетероструктуры на основе In0,53Ga0,47As/AlAs/InP с соотношением пикового тока к току долины 22:1 при комнатной температуре, КСФ, № 8, с. 48-53 (2013).

 10.      Т.М. Бурбаев, А.А. Горбацевич, В.И. Егоркин, И.П. Казаков, В.П. Мартовицкий, Н.Н.  Мельник, Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов, С.С. Шмелев, Комплексное исследование структурных и оптических свойств LT-GaAs эпитаксиальных структур, Краткие сообщения по физике ФИАН, №8, с.15-24 (2013)

 11.      Ю.А.Митягин, В.Н.Мурзин, С.А.Савинов, Г.Н.Измайлов, С.С. Шмелев, Е.М. Апостолова, Метод измерения интенсивности суб-ТГц и ТГц излучения с использованием резонансно-туннельных диодов, Измерительная техника, №8, с.16-18 (2013).

 12.      С.  А.  Савинов, В.  Н.  Мурзин, В.  В.  Капаев, А.  Л.  Карузский, А.  В.  Пересторонин, В.  И.  Егоркин, С.  С.  Шмелев, Е.  М.  Апостолова, Г.  Б.  Галиев, А.  А.  Горбацевич, Исследование быстродействия электронных процессов и влияния внешнего СВЧ поля на стационарный ток в одноямных и двухъямных резонансно-туннельных структурах на основе InGaAs/AlAs/InP, Вестник НИЯУ “МИФИ”, т.3, № 2 с.210–218 (2014).

 13.      Dresvyannikov М., Zherikhina L., Murzin V., Tskhovrebov A., Josephson Fourier Spectrometer Based on HTSP: Construction and Quantum Computer Realization Problem, Journal of Quantum Information Science, v.4, p.133-136 (2014).

 14.      А.С. Ермолов, Г.Н.Измайлов, А.С. Кузьмин, С.П. Лебедев, Ю.А.Митягин, В.Н.Мурзин, С.В. Чучупал, Измерение коэффициентов пропускания образцов новых материалов в субтерагерцовом диапазоне частот, Измерительная техника, №2, с.35-37 (2015).

 15.      А.А. Горбацевич, В.И. Егоркин, И.П. Казаков, О.А. Клименко, А.Ю. Клоков, Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов, В.А. Цветкров, Исследование динамических характеристик “низкотемпературного” арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона, Краткие сообщения по физике ФИАН, №5, с.3-11 (2015)

Шаповал Сергей Юрьевич,

кандидат технических наук,

спец. 01.04.10 «Физика полупроводников»

ГБУН  Институт проблем технологии

микроэлектроники и особо чистых материалов РАН,
зав.лаб. Эпитаксиальных микро- и наноструктур

Публикации:

1.       V.V. Popov, · D.M. Yermolaev, K.V. Maremyanin, V.E. Zemlyakov, N.A. Maleev, V.I. Gavrilenko, V.A. Bespalov, V.I. Yegorkin, V.M. Ustinov, S.Yu. Shapoval Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip, Applied Physics Letters, 104(16), 2014.

2.       D.M. Yermolaev, Ye.A. Polushkin, V.E. Zemlyakov, N.A. Maleev, V.V. Popov, A.V. Muravjov, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, S.Yu. Shapoval Investigation of wide-aperture plasmonic detectors by a tightly focused terahertz beam, Journal of Physics Conference Series, 486(1), 2013.

3.       D.M. Yermolaev, K.M. Marem’yanin, N.A. Maleev, V.E. Zemlyakov, V.I. Gavrilenko, V.V. Popov, S.Yu. Shapoval Terahertz detector with series connection of asymmetric gated transistors, Journal of Physics Conference Series, 486(1), 2016.

4.       I. Khmyrova, N. Watanabe, J. Kholopova, A. Kovalchuk, S. Shapoval Light extraction in planar light-emitting diode with nonuniform current injection: model and simulation, Applied Optics, 53(21), 2014.

5.       D.M. Yermolayev, K.M. Maremyanin, D.V. Fateev, S.V. Morozov, N.A. Maleev, V.E. Zemlyakov, V.I. Gavrilenko, S.Yu. Shapoval, V. V. Popov Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure, Solid-State Electronics, 86, 2013.

6.       Khmyrova I., Hasegawa T., Tomioka S., Watanabe N., Kholopova J., Kovalchuk A., Polushkin E., Shapoval S., Zernlyakov V., Kozlov D., Shestakova E. Modeling of light-emitting diode with top p-electrode paterned as a MESH, Proceedings of the International Semiconductor Conference, CAS Cep., 2013.

7.       R. Yamase, T. Maeda, I. Khmyrova, E. Shestakova, E. Polushkin, A. Kovalchuk, and S. Shapoval Study of Fringing Effects in Multi-Cantilever HEMT-Based Resonant MEMS, Int. J. Appl. Electromagnetics and Mechanics, V38, N2-3, p.93, 2012.

8.       Irina Khmyrova, Ryosuke Yamase, Norikazu Watanabe, Takao Maeda, Elena Shestakova, Evgeny Polushkin, Anatoly Kovalchuk, Sergei Shapoval Analysis of resonant MEMS based on high-electron mobility transistor-like structure", Physica Status Solidi C, V9, N2, p.399, 2012.

9.       V.V. Popov, D.M. Ermolaev, K.V. Maremyanin, N.A. Maleev, V.E. Zemlyakov, V.I. Gavrilenko, S.Yu. Shapoval High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array, Applied Physics Letters, 98(15), 2011.

10.   K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, D.M. Ermolaev, V.E. Zemlyakov, S.Yu. Shapoval, D.V. Fateev, V.V. Popov, N.A. Maleev, F. Teppe, W. Knap Resonance detection of terahertz radiation in nanometer field-effect transistors with two-dimensional electron gas, IRMMW-THz, 2010.

11.   К.В. Маремьянин, Д.М. Ермолаев, Д.В. Фатеев, С.В. Морозов, Н.А. Малеев, В.Е. Земляков, В.И. Гавриленко, В.В. Попов, С.Ю. Шаповал Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади, Письма в ЖТФ, V36, N8, p.39, 2010.

12.   K.V. Marem’yanin, D.M. Ermolaev, D.V. Fateev, S.V. Morozov, N.A. Maleev, V.E. Zemlyakov, V.I. Gavrilenko, V.V. Popov, S.Yu. Shapoval Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate, Technical Physics Letters, 36(4), 2010.
 

Ведущая организация:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова» (МГУ имени М.В.Ломоносова ), физический факультет,(Москва).

Адрес:   119991, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, д. 1, стр. 2,
Адрес сайта: http://www.phys.msu.ru/

Телефон: (495)9391151
E-mail:khokhlov@mig.phys.msu.ru

Публикации:

    1.     E. V. Tikhonov, Yu. A. Uspenskii, D. R. Khokhlov Calculation of the spectrum of quasiparticle electron excitations in organic molecular semiconductors, Journal of Experimental and Theoretical Physics, 120(6) (2015), 1093-1100.

 2.        S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, S. N. Danilov, A.V. Nicorici, D. R. Khokhlov Probing of local electron states by laser terahertz radiation in PbTe(Ga), Journal of Alloys and Compounds, 615 (2014), 375-377.

 3.        K. A. Drozdov, I. V. Krylov, A. A. Irkhina, R. B. Vasiliev, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov Effect of the tin impurity on the energy spectrum and photoelectric properties of nanostructured In2O3 films, Semiconductors, 48(4) (2014).

 4.        Л.  И.  Рябова, Д.  Р.  Хохлов Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца, УФН,  184:10 (2014),  1033–10442.

 5.        Е.  В.  Тихонов, Ю.  А.  Успенский, Д.  Р.  Хохлов Особенности электронной структуры и фотоэмиссионных спектров органических молекулярных полупроводников: молекулы металл-фталоцианинов и PTCDA, Письма в ЖЭТФ,  98:1 (2013),    17–223.

 6.        Л.  И.  Рябова, Д.  Р.  Хохлов Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb1−xSnxTe(In) с помощью лазерного терагерцового излучения, Письма в ЖЭТФ,  97:12 (2013),    825–8314.

 7.        Л.  И.  Рябова, А.  В.  Никорич, С.  Н.  Данилов, Д.  Р.  Хохлов Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb1−xSnxTe(In), Письма в ЖЭТФ,  97:9 (2013),    607–6105.

 8.        И.  А.  Белогорохов, Д.  А.  Мамичев, В.  Е.  Пушкарев, Л.  Г.  Томилова, Д.  Р.  Хохлов Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в  ближней ИК-области, Письма в ЖЭТФ,  92:10 (2010),    746–7506.

 9.        И.  А.  Белогорохов, М.  А.  Дронов, Е.  В.  Тихонов, В.  Е.  Пушкарев, Л.  Г.  Томилова, Д.  Р.  Хохлов Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия, Письма в ЖЭТФ,  91:11 (2010),    676–6797.

 10.      А.  В.  Галеева, Л.  И.  Рябова, А.  В.  Никорич, С.  Д.  Ганичев, С.  Н.  Данилов, В.  В.  Бельков, Д.  Р.  Хохлов Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb 1−xSnxTe(In) в терагерцовой спектральной области,  Письма в ЖЭТФ,  91:1 (2010),    37–398.

 11.      И.  А.  Белогорохов, М.  Н.  Мартышов, Е.  В.  Тихонов, М.  О.  Бреусова, В.  Е.  Пушкарев, П.  А.  Форш, А.  В.  Зотеев, Л.  Г.  Томилова, Д.  Р.  Хохлов Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия, Письма в ЖЭТФ,  85:12 (2007),    791–7949.

 12.      А.  И.  Белогорохов, И.  А.  Белогорохов, М.  И.  Василевский, С.  А.  Гаврилов, Р.  П.  Миранда, Х.  Диттрих, Д.  Р.  Хохлов Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей, Письма в ЖЭТФ,  84:3 (2006),    152–15510.

 13.      Д.  Р.  Хохлов Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов, УФН,  176:9 (2006),    983–98711.

 14.      Л.  И.  Рябова, Д.  Р.  Хохлов Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца, Письма в ЖЭТФ,  80:2 (2004),    143–14912.

 15.      Б.  А.  Волков, Л.  И.  Рябова, Д.  Р.  Хохлов Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца, УФН,  172:8 (2002),    875–906

Отзывы на автореферат и диссертацию:

-Отзыв на автореф. из ИФМ РАН от д.ф-м.н.

В.Я.Алешкина
-Отзыв на автореф. их ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН от д.ф-м.н. А.В.Андрианова

-Отзыв на автореферат из ИФП им. А.В.Ржанова СО РАН от д.ф-м.н. И.В.Антоновой

Отзыв В.Я.Алешкина
Отзыв А.В.Андрианова
Отзыв И.В.Антоновой

Дата размещения  объявления о защите и автореферата диссертации на сайте организации:

Объявление о защите диссертации

Папроцкий Станислав Константинович

физико-математические науки

Специальность: 01.4.10

Шифр совета: Д 002.231.01

Адрес: 125009, Москва, ул. Моховая, д.11, корп.7

(ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

Тел: 8 (495) 629 3309;

e-mail: don.@cplire.ru
Дата защиты: «30»  октября  2015 г., в 10-00